羅姆全SiC功率模塊的產品陣容更強大！
支持1200V 400A、600A，有助于大功率應用的高效化與小型化
近期，羅姆面向工業設備用的電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。
熟悉羅姆的小伙伴對于它獨有的模塊內部結構及散熱設計優化不會陌生，本次的產品正是借這股東風，實現了600A額定電流。
更節能：與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%（芯片溫度150℃時），這非常有助于應用的進一步節能。
更小型：由于可高頻驅動，還有利于外圍元器件和冷卻系統等的小型化。例如，根據冷卻機構中的損耗仿真進行計算，與同等額定電流的IGBT模塊相比，使用SiC模塊可使水冷散熱器的體積減少88%※。
※1200V 600A產品、PWM逆變器驅動、開關頻率20kHz、導熱硅脂厚度40μm以下、散熱器規格采用市場上可獲得信息的產品、其他溫度條件等相同時。
＜應運而生，繼續前進＞
近年來，SiC因其優異的節能效果而在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛，并且市場對更大電流SiC產品的需求越來越旺盛。為了最大限度地發揮SiC產品的優勢--高速開關性能，尤其是功率模塊這類額定電流較大的產品，需要開發可抑制開關時浪涌電壓影響的新封裝。
2012年3月，羅姆于世界首家開始量產內置的功率半導體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，相繼開發出直到1200V、300A額定電流的系列產品，在眾多領域中被廣為采用。在IGBT模塊市場，羅姆擁有覆蓋主要額定電流范圍100A到600A的全SiC模塊產品陣容，預計未來的需求更不可限量。
＜產品特點＞
1. 開關損耗大幅降低，有助于設備節能
搭載羅姆生產的SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC功率模塊，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低64%（芯片溫度150℃時）。因此，可降低應用的功率轉換損耗，實現進一步節能。
2.高頻驅動，有利于外圍元器件的小型化
PWM逆變器驅動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關頻率的損耗5kHz驅動時降低30％、20kHz驅動時降低55％，綜合損耗顯著減少。20kHz驅動時，所需散熱器尺寸可減少88%。
不僅如此，由于可高頻驅動，還有助于外圍無源器件的小型化。
1. 封裝內部電感顯著降低
隨著功率模塊產品的額定電流越來越大，開關工作時的浪涌電壓變大，因此需要降低封裝內部的電感。此次的新產品通過優化內置的SiC元器件配置、內部版圖及引腳結構等，內部電感比以往產品低約23％。同時，開發了相同損耗時的浪涌電壓比以往封裝低27%的G型新封裝，從而成功實現額定電流400A、600A的產品。而且，在同等浪涌電壓驅動條件下，采用新封裝可降低24%的開關損耗。
2. 封裝的散熱性能顯著提升
要實現額定600A的大電流，不僅需要降低內部電感，還需要優異的散熱性能。新產品提高了對模塊的散熱性影響顯著的底板部分的平坦性，從而使底板和客戶安裝的冷卻機構間的熱阻減少57％。
另外，與之前的SiC模塊產品一樣，此次也推出了用來評估的驅動用柵極驅動器板，幫助客戶輕松進行產品評估。
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